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產(chǎn)品中心電力設(shè)備電阻率測(cè)定儀SN/STZ-8北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀
北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
product
產(chǎn)品分類| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
|---|
半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀 硅單晶材料PN測(cè)量?jī)x
型號(hào)：SN/STZ-8
北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀主要技術(shù)指標(biāo)：
1． 測(cè)量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm
溫差法：10-4~10Ω?cm
整流法：10~103Ω?cm，并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。
2． 北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀可測(cè)量材料：半導(dǎo)體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3． 顯示方式：P、N 燈顯示。
4． 測(cè)試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼
5． 電源：220V 50HZ 20W
6． 儀器尺寸：100×260×260主要技術(shù)指標(biāo)：
1． 測(cè)量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm
溫差法：10-4~10Ω?cm
整流法：10~103Ω?cm，并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。
2． 可測(cè)量材料：半導(dǎo)體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3． 顯示方式：P、N 燈顯示。
4． 測(cè)試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼
5． 電源：220V 50HZ 20W
6． 儀器尺寸：100×260×260主要技術(shù)指標(biāo)：
1． 測(cè)量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm
溫差法：10-4~10Ω?cm
整流法：10~103Ω?cm，并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。
2． 可測(cè)量材料：半導(dǎo)體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3． 顯示方式：P、N 燈顯示。
4． 測(cè)試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼
5． 電源：220V 50HZ 20W
6． 儀器尺寸：100×260×260主要技術(shù)指標(biāo)：
1． 測(cè)量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm
溫差法：10-4~10Ω?cm
整流法：10~103Ω?cm，并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。
2． 可測(cè)量材料：半導(dǎo)體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3． 顯示方式：P、N 燈顯示。
4． 測(cè)試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼
5． 電源：220V 50HZ 20W
6． 儀器尺寸：100×260×260主要技術(shù)指標(biāo)：
1． 測(cè)量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm
溫差法：10-4~10Ω?cm
整流法：10~103Ω?cm，并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。
2． 可測(cè)量材料：半導(dǎo)體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3． 顯示方式：P、N 燈顯示。
4． 測(cè)試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼
5． 電源：220V 50HZ 20W
6． 儀器尺寸：100×260×260
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